Die Resonanztunneldiodentechnik nutzt so genannte Resonanztunneldioden oder auch Interband-Tunnel-Dioden. Eine solche Diode besitzt zwei wenige Nanometer dicke Tunnelbarrieren. Für einen elektrischen Strom müssen Elektronen diese Barrieren durchtunneln. Die Wahrscheinlichkeit hierfür ist abhängig vom Niveau des quantisierten Energiezustands zwischen den Tunnelbarrieren. Hieraus folgt die Besonderheit der Tunneldioden. Sie besitzen einen negativen differenziellen Widerstand. Auf der Basis von Tunneldioden lassen sich sowohl Logikelemente als auch Speicher verwirklichen.

Siehe auch

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