Grabenisolation

Die Grabenisolation (englisch shallow trench isolation, STI, auch box isolation technique, BIT) ist ein Verfahren der Halbleitertechnik zur elektrischen Isolation einzelner Bauelemente (meist MIS-Feldeffekttransistoren) auf integrierten Schaltkreisen (IC). Dazu werden zwischen den elektrisch aktiven Gebieten ca. 250 bis 700 nm tiefe Gräben erzeugt und mit einem elektrisch isolierenden Material (meist Siliziumdioxid) aufgefüllt. Ein ähnlicher Prozess wird auch bei anderen Halbleiterprodukten eingesetzt, beispielsweise bei Hochleistungsbipolartransistoren oder analogen integrierten Schaltkreisen. Dabei werden Grabentiefen von ca. 5 µm eingesetzt. Zur Unterscheidung von der „flachen Grabenisolation“ (STI, shallow = dt. flach) wird dieser Prozess als „tiefe Grabenisolation“ (engl. deep trench isolation, DTI, deep = dt. tief) bezeichnet.

Darüber hinaus gibt es noch eine Reihe unterschiedlicher Isolationsmethoden, die ebenfalls einen mehr oder weniger tiefen, mit elektrisch isolierendem Material gefüllten Graben nutzen.