Metallorganische Gasphasenepitaxie

Die metallorganische Gasphasenepitaxie (engl. metal organic chemical vapor phase epitaxy, MOVPE, auch organo-metallic vapor phase epitaxy, OMVPE) ist ein Epitaxieverfahren zur Herstellung von kristallinen Schichten. Es ist in Bezug auf die verwendeten Anlagen identisch mit der metallorganischen chemischen Gasphasenabscheidung (engl. metal organic chemical vapor deposition, MOCVD), wobei die Begriffe MOVPE, MOCVD und OMVPE im Verbindungshalbleiterbereich in der Regel für dieselben Prozesse verwendet werden. Dabei bezeichnet die MOCVD jede Abscheidung mit dem Verfahren, die MOVPE und OMVPE nur die Epitaxie, also das (ein)kristalline Wachstum auf einer kristallinen Unterlage. Im Gegensatz zu Molekularstrahlepitaxie (MBE) findet das Wachstum der Kristalle nicht im Hochvakuum, sondern im Grobvakuum (20 bis 1000 hPa) statt.

Die MOVPE ist das bedeutendste Herstellungsverfahren für III-V-Verbindungshalbleiter insbesondere für Galliumnitrid (GaN) basierte Halbleiter, welches heutzutage das wichtigste Basismaterial für blaue, weiße und grüne LEDs darstellt.