Salicide-Prozess

Der englischsprachige Begriff salicide bezeichnet in der Halbleitertechnik ein Verfahren zur Herstellung von elektrischen Kontakten zwischen den aktiven Gebieten des Silizium-Substrats (Source und Drain des MOSFET) und den Leiterbahnebenen. Der Begriff selbst ist eine Mischform aus Initial- und Silbenbildung, das heißt ein Akronym, von self-aligned silicide (dt. selbstjustierendes Silicid), das heißt, ein Prozess bei dem ohne Hilfe einer gesonderten fotolithografischen Strukturierung („selbstjustierend“) ein örtlich begrenztes Silicid erzeugt wird.

Analog zum Salicide-Prozess bezeichnet der Polycide-Prozess, eine Silicid-Bildung in einer Polysiliciumschicht, beispielsweise zur Kontaktbildung der Gate-Elektrode. Die Begriffsnutzung ist jedoch nicht immer widerspruchsfrei, so wird auch die gleichzeitige Bildung von Siliciden an dem Source- und Drain-Gebiete sowie der Gate-Elektrode des MOSFETs als Salicide-Prozess bezeichnet.