Dual-Damascene-Prozess

Der Dual-Damascene-Prozess bezeichnet in der Halbleitertechnik eine Gruppe von Prozessfolgen zur gemeinsamen („dual“) Fertigung von Leiterbahnebenen und vertikalen Zwischenverbindungen (sogenannten Vias). Die Verfahren stellen eine Weiterentwicklung des einfachen Damascene-Prozesses dar und werden bei der Herstellung der Metallisierungsebenen von integrierten Schaltkreisen (Mikrochips) in Kupfertechnik angewendet.

Der Name „Damascene“ stammt von einer antiken Verzierungstechnik, der Tauschierung (auch Damaszierung genannt, englisch damascening), bei der ein Material in vorher gefertigte Vertiefungen eingebracht wird.