Einzelelektronentransistor

Als Einzelelektronentransistoren, auch Ein-Elektron-Transistoren, (SET für englisch single electron tunneling oder englisch single electron transistors) bezeichnet man elektronische Bauelemente, die zu einem bestimmten Zeitpunkt nur von jeweils einem Elektron passiert werden können.

Der erste SET wurde 1987 an den Bell Laboratories von Gerald Dolan und Theodore A. Fulton realisiert. Vorschläge dazu gaben schon Dmitri Averin und Konstantin Likharev 1985.

↑ T. A. Fulton, G. J. Dolan: Observation of single-electron charging effects in small tunnel junctions. In: Physical Review Letters. Band 59, 1987, S. 109–112, doi:10.1103/PhysRevLett.59.109.
↑ D. V. Averin, K. K. Likharev: Coulomb Blockade of Tunneling, and Coherent Oscillations in Small Tunnel Junctions. In: J. Low Temperature Physics. Band 62, 1986, S. 345 (Moscow State University, Dept. of Physics preprint 23, 1985).

[1] T. A. Fulton, G. J. Dolan: Observation of single-electron charging effects in small tunnel junctions. In: Physical Review Letters. Band 59, 1987, S. 109–112, doi:10.1103/PhysRevLett.59.109.

[2] D. V. Averin, K. K. Likharev: Coulomb Blockade of Tunneling, and Coherent Oscillations in Small Tunnel Junctions. In: J. Low Temperature Physics. Band 62, 1986, S. 345 (Moscow State University, Dept. of Physics preprint 23, 1985).