Heteroübergang

Als Heteroübergang (auch Heterostruktur, engl. Heterojunction) wird die Grenzschicht zweier unterschiedlicher Halbleitermaterialien bezeichnet. Anders als bei einem p-n-Übergang ist hier nicht (nur) die Dotierungsart, sondern die Materialart verschieden. Die Halbleiter besitzen deshalb i. A. eine unterschiedliche Energie der Bandlücke und weisen besonderen elektrische und optische Eigenschaften auf.

Heteroübergänge werden meist aus III-V oder II-VI-Verbindungshalbleitern mittels Halbleiterepitaxie realisiert. Man spricht bei mehreren Schichten auch von Übergittern.

Der Nobelpreis für Physik 2000 wurde an Herbert Kroemer und Schores Iwanowitsch Alfjorow für Halbleiter-Heteroübergänge verliehen.

  1. ↑ Gerhard Abstreiter: Die Dimension macht den Unterschied. In: Physik Journal. Band 13, Nr. 8/9. Wiley-VCH, 2014 (pro-physik.de).
  2. ↑ Tsuneya Ando, Alan B. Fowler, Frank Stern: Electronic properties of two-dimensional systems. In: Reviews of Modern Physics. Band 54, Nr. 2, 1. April 1982, ISSN 0034-6861, S. 437–672, doi:10.1103/RevModPhys.54.437 (englisch, aps.org [abgerufen am 1. Februar 2023]).
  3. ↑ The Nobel Prize in Physics 2000. Abgerufen am 1. Februar 2023 (amerikanisches Englisch).
  4. ↑ Herbert Kroemer: Nobel Lecture: Quasielectric fields and band offsets: teaching electrons new tricks. In: Reviews of Modern Physics. Band 73, Nr. 3, 22. Oktober 2001, ISSN 0034-6861, S. 783–793, doi:10.1103/RevModPhys.73.783 (englisch, aps.org [abgerufen am 1. Februar 2023]).
  5. ↑ Zhores I. Alferov: Nobel Lecture: The double heterostructure concept and its applications in physics, electronics, and technology. In: Reviews of Modern Physics. Band 73, Nr. 3, 22. Oktober 2001, ISSN 0034-6861, S. 767–782, doi:10.1103/RevModPhys.73.767 (englisch, aps.org [abgerufen am 1. Februar 2023]).
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