Vierschichtdiode

Die Vierschichtdiode, auch als Dinistor oder als Shockley-Diode bezeichnet (nach dem Physiker William B. Shockley), ist ein Silizium-Halbleiterbauteil mit vier Halbleiterzonen. Die ersten Vierschichtdioden wurden Ende der 1950er Jahre von Shockley Semiconductor Laboratory hergestellt und waren mit die ersten aus Silizium hergestellten Halbleiterbauelemente. Sie ist heute durch andere Halbleiterbauelemente, insbesondere den Diac, abgelöst und hat keine wirtschaftliche Bedeutung mehr.

Die Shockley-Diode ist nicht zu verwechseln mit der Schottky-Diode.

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  3. ↑ Photo Essay – Shockley 4 Layer Diodes. Transistor Museum, zuletzt abgefragt am 16. April 2013 (engl.).
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