| Kristallstruktur | ||||||||||||||||
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| _ B3+ _ P3− | ||||||||||||||||
| Kristallsystem |
Zinkblende | |||||||||||||||
| Raumgruppe |
F43m (Nr. 216) | |||||||||||||||
| Allgemeines | ||||||||||||||||
| Name | Borphosphid | |||||||||||||||
| Verhältnisformel | BP | |||||||||||||||
| Kurzbeschreibung |
farblose oder je nach Dotierung orangerote bis rotbraune Kristalle | |||||||||||||||
| Externe Identifikatoren/Datenbanken | ||||||||||||||||
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| Eigenschaften | ||||||||||||||||
| Molare Masse | 41,78 g·mol−1 | |||||||||||||||
| Aggregatzustand |
fest | |||||||||||||||
| Schmelzpunkt |
1227 °C (Zersetzung) | |||||||||||||||
| Sicherheitshinweise | ||||||||||||||||
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| Soweit möglich und gebräuchlich, werden SI-Einheiten verwendet. Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen. | ||||||||||||||||
Borphosphid (BP) ist ein III-V-Verbindungshalbleiter in Zinkblende-Struktur bestehend aus den beiden Elementen Bor und Phosphor und wurde 1891 synthetisiert.
Gewinnung und Darstellung
Borphosphid kann aus den Elementen bei Drücken und Temperaturen über 20 kbar und 1200 °C synthetisiert werden. Kristalle von Borphosphid können weiterhin unter Verwendung von Mischungen von Bor, Phosphor und Bortrioxid, Bor und Borphosphat und Bor und Phosphorpentoxid synthetisiert werden.
Eigenschaften
Das Halbleitermaterial weist einem Bandabstand von 2,1 eV bei 300 K auf. Hochreines Borphosphid ist optisch transparent. n-dotiertes Borphosphid weist eine orange-rote Farbe auf, p-dotiertes Borphosphid ist dunkelrotbraun.
Verwendung
Borphosphid wird unter anderem als Werkstoff in speziellen Leuchtdioden (LEDs) eingesetzt.
Einzelnachweise
- 1 2 3 Jean d'Ans, Ellen Lax, Roger Blachnik: Taschenbuch für Chemiker und Physiker. Springer, 1998, ISBN 3-642-58842-5, S. 320 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche).
- 1 2 L.I. Berger: Semiconductor Materials. CRC Press, 1996, ISBN 978-0-8493-8912-2, S. 116.
- ↑ Dieser Stoff wurde in Bezug auf seine Gefährlichkeit entweder noch nicht eingestuft oder eine verlässliche und zitierfähige Quelle hierzu wurde noch nicht gefunden.
- ↑ P. Popper, T. A. Ingles: Boron Phosphide, a III–V Compound of Zinc-Blende Structure. In: Nature. 179, 1957, S. 1075–1075, doi:10.1038/1791075a0.
- ↑ H. Moissan: Préparation et Propriétés des Phosphures de Bore. In: Comptes Rendus. 113. Jahrgang, 1891, S. 726–729 (bnf.fr).
- ↑ K. P. Ananthanarayanan, C. Mohanty, P. J. Gielisse: Synthesis of single crystal boron phosphide. In: Journal of Crystal Growth. 20, 1973, S. 63–67, doi:10.1016/0022-0248(73)90038-9.
- ↑ O. Madelung: Semiconductors: Data Handbook. Birkhäuser, 2004, ISBN 978-3-540-40488-0, S. 84–86.
- ↑ Patent US6809346: Boron phosphide-based semiconductor light-emitting device, production method thereof, and light-emitting diode. Angemeldet am 9. März 2004, veröffentlicht am 26. Oktober 2004, Erfinder: Takashi Udagawa.