Galliumarsenid
Die binäre Verbindung Galliumarsenid (GaAs) ist ein Halbleiterwerkstoff, der sowohl halbleitend (mit Elementen aus den Gruppen II, IV oder VI des Periodensystems dotiert) als auch semiisolierend (undotiert) sein kann. Die auf diesem Substratmaterial aufbauenden Verbindungen und Epitaxie-Schichten werden zur Herstellung elektronischer Bauelemente benötigt, die bei Hochfrequenzanwendungen und für die Umwandlung elektrischer in optische Signale eingesetzt werden.
| Kristallstruktur | |||||||||||||||||||
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| _ Ga3+ _ As3− | |||||||||||||||||||
| Kristallsystem |
kubisch | ||||||||||||||||||
| Raumgruppe |
F43m (Nr. 216) | ||||||||||||||||||
| Gitterparameter |
a = 565,33 pm | ||||||||||||||||||
| Allgemeines | |||||||||||||||||||
| Name | Galliumarsenid | ||||||||||||||||||
| Verhältnisformel | GaAs | ||||||||||||||||||
| Kurzbeschreibung |
dunkelgrauer Feststoff | ||||||||||||||||||
| Externe Identifikatoren/Datenbanken | |||||||||||||||||||
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| Eigenschaften | |||||||||||||||||||
| Molare Masse | 144,64 g·mol−1 | ||||||||||||||||||
| Aggregatzustand |
fest | ||||||||||||||||||
| Dichte |
5,32 g·cm−3 | ||||||||||||||||||
| Schmelzpunkt |
1238 °C | ||||||||||||||||||
| Löslichkeit |
praktisch unlöslich in Wasser | ||||||||||||||||||
| Sicherheitshinweise | |||||||||||||||||||
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| MAK |
nicht festgelegt, da cancerogen | ||||||||||||||||||
| Thermodynamische Eigenschaften | |||||||||||||||||||
| ΔHf0 |
−71,0 kJ/mol | ||||||||||||||||||
| Soweit möglich und gebräuchlich, werden SI-Einheiten verwendet. Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen (0 °C, 1000 hPa). | |||||||||||||||||||
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