Indiumphosphid
Indiumphosphid ist eine Halbleiterverbindung aus der Gruppe der binären III-V-Verbindungshalbleiter, die in der Hochfrequenztechnik für Laser für die dämpfungsarme langreichweitige Datenkommunikation um 1550 nm über Glasfaserkabel, in der Hochleistungselektronik sowie der Herstellung von Integrierten Schaltkreisen (Sandwich-Chips) mit Taktfrequenzen bis 1 THz und darüber und bei Bauelementen im Bereich der Hochfrequenztechnik wie der Gunndiode eingesetzt wird. Grund für diese Einsatzbereiche ist die gegenüber Silicium sehr hohe Elektronenbeweglichkeit im Gitter.
| Kristallstruktur | ||||||||||||||||
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| _ In3+ _ P3− | ||||||||||||||||
| Allgemeines | ||||||||||||||||
| Name | Indiumphosphid | |||||||||||||||
| Andere Namen |
Indium(III)-phosphid | |||||||||||||||
| Verhältnisformel | InP | |||||||||||||||
| Kurzbeschreibung |
dunkelgrauer Feststoff | |||||||||||||||
| Externe Identifikatoren/Datenbanken | ||||||||||||||||
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| Eigenschaften | ||||||||||||||||
| Molare Masse | 145,79 g·mol−1 | |||||||||||||||
| Aggregatzustand |
fest | |||||||||||||||
| Dichte |
4,79 g·cm−3 | |||||||||||||||
| Schmelzpunkt |
1070 °C | |||||||||||||||
| Löslichkeit |
praktisch unlöslich in Wasser | |||||||||||||||
| Sicherheitshinweise | ||||||||||||||||
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| MAK |
aufgehoben, da cancerogen | |||||||||||||||
| Soweit möglich und gebräuchlich, werden SI-Einheiten verwendet. Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen (0 °C, 1000 hPa). | ||||||||||||||||
Indiumphosphid besitzt eine direkte Bandlücke, wodurch die Verbindung für Laserdioden, LEDs, Detektoren und andere Anwendungen im Bereich der Optoelektronik gut geeignet ist. Weiterhin eignet sich Indiumphosphid als Basismaterial für photonische Kristalle.