Metallische Gate-Elektrode

Eine metallische Gate-Elektrode (englisch metal gate (electrode)) bezeichnet im Bereich der Halbleitertechnik eine aus Metall bestehende Gate-Elektrode (Steuerelektrode) eines Isolierschicht-Feldeffekttransistors (IGFET, z. B. MOSFET). Sie grenzt sich ab gegenüber Gate-Elektroden aus Polysilizium (der polykristallinen Form von Silizium, auch Silizium-Gate-Technik genannt), die seit dem Ende der 1970er Jahre die zuvor genutzten Gate-Elektroden aus Aluminium (Aluminium-Gate-Technik) verdrängt haben und seitdem bei integrierten Schaltkreisen (ICs) in CMOS-Technik hauptsächlich eingesetzt werden.