Silizium-Gate-Technik

Die Silizium-Gate-Technik (SGT), auch Silizium-Gate-Prozess genannt (engl. silicon-gate (MOS) technology/process), ist eine Fertigungsvariante für integrierte Schaltungen (ICs) auf Grundlage von Feldeffekttransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (IGFET), bei der die Gate-Elektrode aus hochdotierten polykristallinem Silizium (Polysilizium, Poly-Si), statt des bis dahin üblichen Aluminiums, gefertigt wird. Weiterentwicklungen einbezogen (vor allem die CMOS-Technik), ist die Silizium-Gate-Technik die dominierende Fertigungstechnik für mikroelektronische Produkte. Im Bereich der Hochleistungsprozessoren wurde sie allerdings Mitte 2000er Jahre durch die High-k+Metal-Gate-Technik abgelöst, die wieder eine metallische Gate-Elektrode nutzt. Das Prinzip der Silizium-Gate-Technik ist aber weiterhin weit verbreitet und wird für Produkte bis hin zum 28-nm-Technologieknoten eingesetzt.