PMOS

Die Abkürzung PMOS (bzw. PMOSFET und p-Kanal-MOSFET) steht für englisch „p-type metal-oxide semiconductor“ (deutsch: p-Kanal-Metall-Oxid-Halbleiter) und bezeichnet in der Mikroelektronik einen Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET), bei dem positiv geladene Ladungsträger (Löcher, Defektelektronen) die Leitung des elektrischen Stroms im Kanal übernehmen. Schaltkreise, die neben Widerständen nur p-Kanal-MOSFETs als Transistoren nutzen, werden als PMOS-Logik bezeichnet. Sie stellt das Komplement zur NMOS-Logik (n-channel metal-oxide-semiconductor) dar, die Elektronen zur Leitung des elektrischen Stroms im Kanal nutzt. Schaltkreise beider Art wurden und werden mit der sogenannten Silizium-Gate-Technik (auch PMOS-Prozess) hergestellt.

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