Nickeldisilicid ist eine anorganische chemische Verbindung des Nickels aus der Gruppe der Silicide.

Gewinnung und Darstellung

Nickeldisilicid kann durch Reaktion von Nickel mit Silicium bei 750 °C gewonnen werden.

${\displaystyle \mathrm {Ni+2\ Si\longrightarrow NiSi_{2}} }$

Eigenschaften

Nickeldisilicid ist grau blauber Feststoff. Er ist ein Halbleiter und besitzt eine Kristallstruktur vom Fluorittyp mit der Raumgruppe Fm3m (Raumgruppen-Nr. 225)Vorlage:Raumgruppe/225. Die Verbindung hat einen Widerstand von etwa 34 bis 50 µΩ/cm.

Verwendung

Nickeldisilicid wird als Kontaktmaterial in der Halbleiterindustrie verwendet. Die Gitterabstände der Verbindung ist nur 0,4 % kleiner als die von Silicium.

Verwandte Verbindungen

Neben Nickeldisilicid sind mit Ni₃Si, Ni₃₁Si₁₂, Ni₃Si₂, Nickelmonosilicid (NiSi) und Dinickelsilicid (Ni₂Si) mindestens fünf weitere bei Raumtemperatur stabile Nickelsilicide bekannt. Das Phasendiagramm zeigt insgesamt elf Nickelsilicide.

Einzelnachweise

1. 1 2 scielo.org.za: Aspects of coloured precious metal intermetallic compounds (Memento des Originals vom 7. Juli 2016 im Internet Archive)  Info: Der Archivlink wurde automatisch eingesetzt und noch nicht geprüft. Bitte prüfe Original- und Archivlink gemäß Anleitung und entferne dann diesen Hinweis.@1@2Vorlage:Webachiv/IABot/www.scielo.org.za, abgerufen am 7. Juli 2016.
2. 1 2 Open Publications of UTS Scholars, Supansomboon, S: Properties and applications of metastable precious metal intermetallic compounds, abgerufen am 7. Juli 2016
3. 1 2 Eintrag zu Nickeldisilicid in der GESTIS-Stoffdatenbank des IFA, abgerufen am 23. Juli 2016. (JavaScript erforderlich)
4. 1 2 Dale L. Perry: Handbook of Inorganic Compounds. CRC Press, 1995, ISBN 978-0-8493-8671-8, S. 13 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche). 
5. ↑ Eintrag zu nickel disilicide im Classification and Labelling Inventory der Europäischen Chemikalienagentur (ECHA), abgerufen am 2. April 2022. Hersteller bzw. Inverkehrbringer können die harmonisierte Einstufung und Kennzeichnung erweitern.
6. ↑ B.A Julies, D. Knoesen, R. Pretorius, D. Adams: A study of the NiSi to NiSi2 transition in the Ni–Si binary system. In: Thin Solid Films. 347, 1999, S. 201, doi:10.1016/S0040-6090(99)00004-8.
7. ↑ Jane E. Macintyre: Dictionary of Inorganic Compounds. CRC Press, 1992, ISBN 978-0-412-30120-9, S. 3669 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche). 
8. 1 2 Yoshio Nishi, Robert Doering: Handbook of Semiconductor Manufacturing Technology, Second Edition. CRC Press, 2007, ISBN 978-1-4200-1766-3, S. 18 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche). 
9. ↑ Johann-Friedrich Luy, Peter Russer: Silicon-Based Millimeter-Wave Devices. Springer Science & Business Media, 2013, ISBN 978-3-642-79031-7, S. 74 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche). 
10. ↑ Inder P. Batra: Metallization and Metal-Semiconductor Interfaces. Springer Science & Business Media, 2012, ISBN 978-1-4613-0795-2, S. 216 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche). 
11. ↑ William M. Haynes: CRC Handbook of Chemistry and Physics, 94th Edition. CRC Press, 2016, ISBN 978-1-4665-7115-0, S. 77 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche).