Trimethylgallium

Strukturformel
Allgemeines
Name	Trimethylgallium
Andere Namen	TMG; TMGa;
Summenformel	C3H9Ga
Kurzbeschreibung	klare, farblose Flüssigkeit
Externe Identifikatoren/Datenbanken
EG-Nummer	215-897-6
ECHA-InfoCard	100.014.452
PubChem	15051
Wikidata	Q419426
Eigenschaften
Molare Masse	114,827 g·mol−1
Aggregatzustand	flüssig
Siedepunkt	~55 °C
Dampfdruck	193 hPa (20 °C)
Löslichkeit	Reagiert heftig mit Wasser
Sicherheitshinweise
H- und P-Sätze	H: 225‐250‐261‐314
	P: 210‐222‐231+232‐280‐305+351+338‐422
	Soweit möglich und gebräuchlich, werden SI-Einheiten verwendet. Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen.

Trimethylgallium mit der Konstitutionsformel Ga(CH₃)₃, auch als TMG oder als TMGa bezeichnet, ist eine metallorganische Verbindung des Galliums.

Darstellung

Trimethylgallium kann durch die Umsetzung von Galliumtrichlorid mit Dimethylzink bei 120 °C gewonnen werden.

\mathrm {2\ GaCl_{3}\ +\ 3\ (CH_{3})_{2}Zn\ \rightarrow \ 2\ Ga(CH_{3})_{3}\ +\ 3\ ZnCl_{2}}

Eine Reaktion von Methylmagnesiumchlorid mit Galliumtrichlorid in Diethylether führt zu Trimethylgallium monodiethyletherat, dem Diethyletheradukt des Trimethylgallium.

Eigenschaften

Es ist bei Raumtemperatur eine klare, farblose Flüssigkeit, welche an Luft selbstentzündlich ist und mit Wasser heftig reagiert. Trimethylgallium muss unter trockener Schutzgasatmosphäre bei Temperaturen unter 25 °C gelagert und gehandhabt werden.

Verwendung

Trimethylgallium dient im Rahmen der metallorganischen Gasphasenepitaxie (MOVPE) als Galliumquelle zur Herstellung von Verbindungshalbleitern wie Galliumphosphid (GaP), Galliumarsenid (GaAs), Galliumantimonid (GaSb), Galliumnitrid (GaN) und Indiumgalliumnitrid (In_xGa_1−xN), die unter anderem im Bereich der Optoelektronik Ausgangsstoffe für die Herstellung von Leuchtdioden sind.

Einzelnachweise

1 2 3 D. Shenaikhatkhate, R. Goyette, R. Dicarlojr, G. Dripps: Environment, health and safety issues for sources used in MOVPE growth of compound semiconductors. In: Journal of Crystal Growth. 272, 2004, S. 816–821, doi:10.1016/j.jcrysgro.2004.09.007.
↑ Hess, K.L., Dapkus, P.D., Manasevit, H.M. et al.: An analytical evaluation of GaAs grown with commercial and repurified trimethylgallium. JEM 11, 1122 (1982). doi:10.1007/BF02658919.
1 2 3 Datenblatt Trimethylgallium bei Sigma-Aldrich, abgerufen am 22. November 2011 (PDF).
1 2 3 C. A. Kraus; F. E. Toonder: Trimethyl gallium, Trimethyl gallium etherate and Trimethyl gallium ammine. In: PNAS. 19. Jahrgang, Nr. 3, 1933, S. 292–298, doi:10.1073/pnas.19.3.292, PMID 16577510, PMC 1085965 (freier Volltext).

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[Shen1-1] 1 2 3 D. Shenaikhatkhate, R. Goyette, R. Dicarlojr, G. Dripps: Environment, health and safety issues for sources used in MOVPE growth of compound semiconductors. In: Journal of Crystal Growth. 272, 2004, S. 816–821, doi:10.1016/j.jcrysgro.2004.09.007.

[Hess-2] Hess, K.L., Dapkus, P.D., Manasevit, H.M. et al.: An analytical evaluation of GaAs grown with commercial and repurified trimethylgallium. JEM 11, 1122 (1982). doi:10.1007/BF02658919.

[Aldrich-3] 1 2 3 Datenblatt Trimethylgallium bei Sigma-Aldrich, abgerufen am 22. November 2011 (PDF).

[Kraus1-4] 1 2 3 C. A. Kraus; F. E. Toonder: Trimethyl gallium, Trimethyl gallium etherate and Trimethyl gallium ammine. In: PNAS. 19. Jahrgang, Nr. 3, 1933, S. 292–298, doi:10.1073/pnas.19.3.292, PMID 16577510, PMC 1085965 (freier Volltext).