Gunn-Effekt
Der Gunn-Effekt [] ist ein physikalischer Effekt, der in manchen Halbleitermaterialien bei hohen elektrischen Feldstärken auftritt und einen negativen differentiellen Widerstand bewirkt.
Der Effekt wurde 1963 von John Battiscombe Gunn entdeckt, als er Galliumarsenid (GaAs) oder Indiumphosphid (InP) mit ohmschen Kontakt elektrisch kontaktierte, mit hohen elektrischen Feldstärken belegte und ab einem kritischen Wert eine hochfrequente Oszillation im gemessenen elektrischen Strom bemerkte. Der Effekt wurde im Vorfeld von B. K. Ridley, T. B. Watkins (beide damals am Mullard Research Laboratories) und C. Hilsum theoretisch vorausgesagt und wird daher auch Ridley-Watkins-Hilsum-Gunn-Mechanismus genannt. H. Kromer erklärte ihn als Elektronentransferprozess.
Angewendet wird der Effekt bei der Gunn-Diode in Hohlleitern, um Mikrowellen zu erzeugen.