LOCOS-Prozess

LOCOS, kurz für englisch local oxidation of silicon (dt. »lokale Oxidation von Silicium«), ist in der Halbleitertechnik ein Verfahren zur elektrischen Isolation von Halbleiterbauelementen, beispielsweise Transistoren. Dafür wird der Silicium-Wafer an ausgewählten Stellen maskiert, das heißt mit einer strukturierten Schutzschicht versehen, und das freigelegte Silicium anschließend örtlich begrenzt oberflächennah bei hohen Temperaturen einer sauerstoffreichen Atmosphäre oxidiert, vgl. thermische Oxidation von Silicium. Auf diese Weise entsteht an der Substratoberfläche zwischen den elektrisch aktiven Siliciumgebieten für die Bauelemente ein elektrischer Isolationsbereich aus Siliciumdioxid.

Der LOCOS-Prozess war in der Halbleitertechnik lange Zeit das bevorzugte Verfahren für die Herstellung der genannten Isolationsbereiche. Da das Verfahren jedoch relativ platzintensiv ist und weitere Nachteile mit sich bringt (siehe unten), wurde es Mitte der 1990er Jahre in der industriellen Produktion von hochintegrierten Schaltkreisen, das heißt mit Strukturgrößen um 0,25 µm und kleiner, durch die sogenannte Grabenisolation abgelöst.